Perusahaan teknologi Samsung dilaporkan tengah mengembangkan RAM kencang berteknologi High Bandwidth Memory (HBM) untuk smartphone maupun tablet, seperti dilansir dari Tekno.
Teknologi HBM menawarkan kecepatan yang lebih tinggi dan lebih hemat daya ketimbang RAM tradisional. Memori jenis ini umumnya digunakan pada server atau GPU kelas atas guna memproses tugas komputasi berat.
Samsung kabarnya akan membenamkan teknologi tersebut ke perangkat mobile yang kini menjalankan tugas berbasis kecerdasan buatan (AI). Langkah ini ditempuh demi meningkatkan kinerja gawai menjadi perangkat AI yang canggih.
Secara teknis, DRAM tradisional yang dipasang di smartphone atau tablet menggunakan pengikat kawat tembaga (copper wire bonding). Metode tersebut memiliki keterbatasan jumlah jalur input-output (I/O), sehingga transfer data dan pengendalian panas kurang optimal.
Untuk mengatasi masalah itu, Samsung konon akan memakai teknologi Fan-Out Wafer Level Packaging (FOWLP). Metode pengemasan chip ini juga digunakan pada chipset seperti Exynos 2600.
Teknologi FOWLP dinilai dapat membantu meningkatkan ketahanan panas. Selain itu, metode ini mampu menjaga performa tetap stabil saat menjalankan beban kerja berat, termasuk pemrosesan AI.
Samsung juga mengembangkan teknologi bernama Vertical Copper Post Stack (VCS). Lewat metode ini, chip DRAM disusun bertingkat seperti tangga dan dihubungkan menggunakan pilar tembaga berukuran sangat kecil.
Pendekatan VCS memungkinkan Samsung meningkatkan bandwidth memori secara signifikan. Teknologi ini menjadi solusi tepat di tengah keterbatasan ruang komponen di dalam smartphone.
Laporan ETNews menunjukkan bahwa rasio tinggi pilar tembaga dalam teknologi VCS meningkat drastis. Rasionya melonjak dari sebelumnya sekitar 3-5:1 menjadi 15-20:1.
Selain itu, penggunaan FOWLP diklaim dapat meningkatkan jumlah terminal I/O. Penerapan sistem pengemasan ini mampu mendongkrak bandwidth hingga 30 persen lebih tinggi.
Meski begitu, teknologi ini menghadirkan tantangan baru bagi manufaktur. Pilar tembaga yang terlalu kecil berisiko bengkok atau bahkan patah jika diameternya di bawah 10 mikrometer.
Karena itu, Samsung memanfaatkan FOWLP untuk memperkuat struktur chip. Langkah ini dilakukan dengan memperluas jalur kabel tembaga ke area luar.
Belum diketahui pasti kapan HBM versi mobile ini akan debut secara resmi. Namun, teknologi tersebut diperkirakan bisa muncul di chipset Samsung generasi mendatang, seperti Exynos 2800 atau Exynos 2900.
Selain Samsung, Apple juga dikabarkan tengah mengeksplorasi penggunaan HBM untuk iPhone di masa depan. Begitu pula dengan Huawei yang dilaporkan masih berada dalam tahap penelitian.
Meski terdengar menjanjikan, penggunaan HBM di smartphone diperkirakan belum akan hadir dalam waktu dekat. Salah satu kendala utamanya adalah harga RAM mobile yang saat ini masih tinggi.
Peningkatan kemampuan AI di smartphone beberapa tahun ke depan kemungkinan masih akan bergantung pada komponen lain. Sektor chipset dan penyimpanan internal akan lebih diandalkan dibanding penggunaan HBM.
