Perusahaan teknologi Samsung dilaporkan tengah mengembangkan RAM kencang berteknologi High Bandwidth Memory (HBM) untuk perangkat mobile. Teknologi memori mutakhir ini disiapkan untuk disematkan pada jajaran smartphone maupun tablet masa depan.
Langkah inovatif ini ditempuh demi meningkatkan kinerja perangkat mobile menjadi gawai kecerdasan buatan (artificial intelligence/AI) yang jauh lebih canggih, seperti dikutip dari Tekno. Kehadiran HBM menawarkan kecepatan transfer data yang lebih tinggi sekaligus lebih hemat daya ketimbang RAM tradisional.
Selama ini, teknologi memori berkecepatan tinggi tersebut umumnya hanya digunakan pada server atau GPU kelas atas untuk memproses tugas komputasi yang sangat berat. Namun, Samsung kini kabarnya akan membenamkan efisiensi tersebut ke dalam ekosistem perangkat genggam.
Secara teknis, DRAM tradisional yang dipasang di smartphone atau tablet saat ini masih menggunakan pengikat kawat tembaga (copper wire bonding). Metode konvensional tersebut memiliki keterbatasan pada jumlah jalur input-output (I/O), sehingga pengendalian panas dan efisiensi transfer data menjadi kurang optimal.
Guna mengatasi kendala tersebut, raksasa teknologi asal Korea Selatan ini konon akan memakai teknologi Fan-Out Wafer Level Packaging (FOWLP). Metode pengemasan chip mutakhir ini juga digunakan pada chipset generasi terbaru seperti Exynos 2600.
Penerapan teknologi FOWLP dinilai dapat membantu meningkatkan ketahanan panas pada komponen internal. Selain itu, sistem ini juga mampu menjaga performa perangkat tetap stabil saat menjalankan beban kerja berat, termasuk pemrosesan kecerdasan buatan.
Inovasi Arsitektur Vertikal untuk Dongkrak Bandwidth
Tidak hanya itu, Samsung juga mengembangkan teknologi pendukung bernama Vertical Copper Post Stack (VCS). Lewat metode arsitektur ini, chip DRAM disusun bertingkat menyerupai tangga dan dihubungkan menggunakan pilar tembaga berukuran sangat kecil.
Pendekatan vertikal tersebut memungkinkan peningkatan bandwidth memori secara signifikan. Inovasi ini menjadi solusi jitu di tengah ruang internal smartphone yang sangat terbatas saat ini.
Laporan dari ETNews menunjukkan bahwa rasio tinggi pilar tembaga dalam teknologi VCS meningkat drastis dari sebelumnya sekitar 3-5:1 menjadi 15-20:1. Di sisi lain, penggunaan FOWLP diklaim dapat mendongkrak bandwidth hingga 30 persen lebih tinggi berkat penambahan jumlah terminal I/O.
Meski menjanjikan performa luar biasa, teknologi ini juga menghadirkan tantangan baru dalam proses manufaktur. Pilar tembaga yang terlalu kecil berisiko bengkok atau bahkan patah jika diameternya berada di bawah 10 mikrometer.
Oleh karena itu, Samsung memanfaatkan metode FOWLP untuk memperkuat struktur mekanis chip. Caranya adalah dengan memperluas jalur kabel tembaga ke area luar struktur utama.
Prospek Adopsi Global dan Jadwal Rilis Memori Baru
Hingga saat ini, belum diketahui secara pasti kapan komponen HBM versi mobile ini akan melakukan debut resminya di pasar global. Namun, teknologi tersebut diperkirakan baru bisa muncul di chipset Samsung generasi mendatang, seperti Exynos 2800 atau Exynos 2900.
Tren baru ini rupanya memicu ketertarikan dari para kompetitor global. Selain Samsung, Apple juga dikabarkan tengah mengeksplorasi penggunaan memori canggih ini untuk perangkat iPhone di masa depan, begitu pula dengan Huawei yang masih berada dalam tahap penelitian mendalam.
Kendati terdengar sangat menjanjikan, implementasi HBM di industri smartphone diperkirakan belum akan hadir dalam waktu dekat. Komponen RAM mobile performa tinggi ini menghadapi kendala biaya produksi yang saat ini nilainya masih sangat tinggi.
